Ansys とRealtek社、先進のシミュレーションワークフローを活用して複雑なRFICと高速ICの設計を迅速化 

Ansys RaptorHは障害となる電磁界干渉を検出、削減し、モデリング時間を10分の1に短縮

主なハイライト

• Realtek社はAnsysのソリューションを用いて非常に精緻な無線周波数集積回路（RFIC）の設計を迅速化しています
• Realtek社のIC設計者は、Ansys RaptorHを活用することによりミュレーションの予測精度と効率を大幅に向上させ、難しいRFIC設計課題をより迅速に解決することができます

ペンシルベニア州ピッツバーグ、2021年11月18日　―　Realtek社は、Ansys（NASDAQ:ANSS）が開発した最先端で使いやすい電磁界（EM）シミュレーションワークフローを用いて複雑なRFIC設計を迅速化するとともに、シリコンの面積を縮小することで設計効率を向上させました。Realtek社は、Ansys RaptorHのシリコンに最適化されたモデリングフローを使用してRFICや高速ICから最先端のIoT機器に至るアプリケーションにおける電磁結合を高精度で予測することにより、シミュレーションに要する時間を大幅に短縮し、無駄な過剰設計を減らしています。

RFICの先進ノード設計では、高周波数のミリ波信号に起因し、異なるRFブロック間で生じる電磁干渉による増大する課題に対応しなければなりません。設計マージンの効率を向上させるために、Realtek社のIC設計者はAnsys® RaptorH™　の高性能エンジンを活用し回路ブロック全体を高精度で解析しています。

このシリコンに最適化されたモデリングフローを採用することにより、Realtek社の設計者はEMモデリングに要する時間を3分の1から10分の1に短縮しています。さらに、非常に複雑な設計においてブロック間のEMクロストークを大幅に低減しシリコンサイズを縮小しています。

RAPTORHによるシリコン上高周波コイルの詳細モデル。このモデルを用いて電磁干渉の高精度解析を行う。

「RaptorHのグラフィカルユーザーインターフェースは非常に直感的で、電磁結合解析を行うためにレイアウトやファウンドリの技術ファイルに手作業で修正を加える必要がなく簡単にセットアップできます。これにより当社のエンジニアリングチームは電磁結合の問題があれば、オンチップ設計フローの中で特定することができます。大容量、高速であると共に高い予測精度を有することにより、当社の設計者は、非常に複雑な新しいチップにおいて忠実度を損なうことなく面積を最少に抑え、価値を高めることができました。」（Realtek社、バイスプレジデント、Yee-Wei Huang氏）

「RaptorHは、最新世代のICレイアウト構造でのEMおよびマルチフィジックス干渉をモデリングするために当社が提供する、業界をリードするゴールドスタンダードのシミュレーションプラットフォームに不可欠のものです。最先端のSパラメータと次数低減したSPICEモデルにより理想的なユーザーエクスペリエンスと信頼性の高い結果を提供することで、Realtek社の設計者は超短波信号の挙動を把握し、複雑なICレイアウトの問題を確実に解決し、より高効率で高信頼性を有する製品の開発が可能となります。」（Ansys、バイスプレジデント兼エレクトロニクスおよび半導体ビジネスユニットジェネラルマネージャー、John Lee）

Ansysについて

ロケットの打ち上げをご覧になったり、飛行機で空を旅したり、車を運転したり、橋を渡ったり、PCを使ったり、モバイルデバイスの画面にタッチしたり、あるいはウェアラブルデバイスを身に付けたりされたご経験はおありでしょうか。それらの製品は、Ansysのソフトウェアを使って生み出されたものかもしれません。Ansysは、工学シミュレーションの世界的リーディングカンパニーとして、今までにない優れた製品の誕生に貢献しています。最高水準の機能と幅広さを備えた工学シミュレーションソフトウェアの提供を通じ、Ansysは、最も複雑な設計上の課題であっても解決を支援し、製品設計の可能性を想像力の限界まで押し広げています。1970年に設立されたAnsysは、本社を米国のペンシルベニア州ピッツバーグ南部に置いています。詳細は、 https://www.ansys.com/ja-jp をご覧ください。

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