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数学表达式有助于我们描述周围的世界。在小信号电子网络中,线性方程将电压和电流的独立量与相关量(也包括电压和电流)联系起来。
因此,即使是最复杂的电路,也可以被简化为简单的“黑盒”,其中输出电压和电流通过简单的数学关系与输入电压和电流相关联。
在高频电路出现之前,Y参数和Z参数是表征网络性能的主要方法。然而,在更高的频率下,很难将网络性能与电压和电流直接联系起来,尤其是在包含波导等传输线的网络中。
因此,S参数参考了散射矩阵的元素,描述了电压波通过电网或电路传播时的散射特性。它们源于E.W.Matthews、Kaneyuke Kurokawa等人推广的散射波概念。
当行进电磁波遇到障碍物或穿过不同的电介质时,它被称为“散射”。因此,S参数描述了沿传输线传播的电流和电压在遇到组件或网络形成的不连续性时如何“散射”。这种不连续性源于组件或网络阻抗与线路特性阻抗(或负载阻抗)之间的不匹配。
当入射信号到达网络端口时,其部分能量从端口反射回来,而其余能量则传输(或散射)到网络中的其他端口,从而导致信号的放大或衰减。
由于S参数描述了特定频率下入射波和反射波的特性,因此工程师必须指定这些频率,以及受测(DUT)器件的特性阻抗。
S参数被证明在微波和射频(RF)电路(300 MHz - 300 GHz)的设计、分析和优化中最有用(并且被广泛使用)。这样就不需要对RF器件的内部特性进行建模,工程师只需关注其输入-输出行为。
工程师通过测量每个电路端口的电压和电流得出S参数。这些参数是按入射波和透射(或反射)波的电压比计算的无量纲系数。多端口网络的散射矩阵(n端口矩阵)由个S参数组成,每个参数代表电路中的输入-输出路径。
每个参数都是一个无量纲复数,实部表示测试频率下信号的幅度,虚部表示信号的相位。幅度可以用线性或对数尺度表示(在这种情况下,用分贝表示)。相位通常用度表示,有时也用弧度表示。
在测量S参数时,工程师还必须指定以下条件:
S参数显示为 矩阵,其中 表示输入端口。
因此,双端口网络的S矩阵可以写成:
其中:
请注意,对角线参数被称为“反射系数”,因为信号输入和输出发生在单个端口,而非对角线参数被称为“透射系数”,表示输入和输出发生在不同的端口。这与任何阶矩阵类似。
S参数可以绘制在线性图或极坐标图上,其中每个点表示测试频率。
工程师测量S参数,以确定高频(RF或微波)线性网络中的损耗、增益、阻抗和电压驻波比(VSWR)等特性。各种电气标准都使用S参数来制定其测试合规性程序,包括10 GbE、SATA、PCIe和光纤通道。
主要应用包括:
S参数为工程师提供了有关线性电网性能的宝贵信息,包括RF电路、放大器和滤波器。这些信息包括:
此外,在RF频率下,S参数比Y参数或Z参数更容易测量,因为它们不需要开路或短路。它们还可以轻松转换为其他参数格式,包括ABCD参数、H参数、T参数、Y参数和Z参数,在电路分析和设计中提供灵活性。
S参数还可轻松保存为电路仿真软件可读取的Touchstone文件(ASCII文本文件)。
虽然使用S参数有许多优势,但也有一些局限性:
数字电路在很大程度上受电压阈值的控制,工程师需要了解其中的电能流动,因此需要进行时域分析。时域分析在天线电路设计中也很重要,工程师需要对反射和杂散信号进行表征。
频域分析简化了数学分析,并提供了对系统质量的直观理解。当工程师需要参考频率特性的时间相关单元时,会使用增益、带宽、谐振频率和相移等术语。
此外,还可以使用被称为“变换”的数学运算符(例如傅里叶变换)在频域和时域之间转换信号信息,尽管这可能会导致误差。
在矩阵模型中,“黑盒”表示包含互连组件的电网,例如晶体管、电容器、电阻器和电感器,这些组件通过各种端口与其他电路相互作用。
该网络可以包含任意数量的组件,但需要保证施加小入射信号时其表现为线性。它还可以包含典型的通信系统组件,例如衰减器、放大器、耦合器和滤波器,前提是这些组件也处于线性运行状态。
在绝大多数情况下,S参数适用于单频小信号网络。在这些网络中,信号足够小,因此增益压缩或其他非线性效应可以忽略不计。因此,小信号S参数可以简单地计算为反射波和入射波的电压比。
线性网络包括:
随着输入信号强度的增加,增益压缩等非线性效应会变得明显。因此,大信号S参数会随着输入功率等级而变化。这些参数也称为“功率相关S参数”。
工程师的大信号S参数测量基于网络的谐波平衡仿真,这是一种适用于非线性电路的频域分析方法。大信号S参数还可计算为反射波和入射波的电压比。
工程师经常需要根据频域增益图或史密斯图来检查S参数计算。因此,他们将绘制混合模式S参数图。工程师使用这些参数来表征差分网络中的近端串扰(NEXT)和远端串扰(FEXT)。
工程师通常在网络分析中使用双端口S参数,这也可作为大型网络中高阶S参数矩阵的蓝图。双端口网络中反射波和入射波之间的关系由以下公式给出:
其中和分别是端口1的入射波幅和反射波幅,类似地,和是端口2的入射波幅和反射波幅。
工程师从双端口S参数测量中得出以下网络属性:
如前所述,S参数可帮助工程师描述一般端口电网的响应,其中信号可在任意端口施加和反射。因此,参数描述了端口1的入射信号在端口2的网络响应。S参数通常用于单端口和双端口网络。
三端口S参数测量更具挑战性,不过工程师可以使用专业软件对其进行建模。此外,多端口S参数测量可从设备制造商处轻松获得,但工程师始终需要检查这些测量的准确性。
信号完整性工程师通常使用矢量网络分析仪来评估RF和微波电路在各种工作条件下的性能。因此,他们经常对大量S参数数据进行去嵌入、级联和可视化,将理论分析与实验相结合。该过程通常包括:
在测试过程中,工程师将来自VNA信号源的已知信号馈入DUT,以测量信号穿过DUT时的变化。这些变化由连接到VNA的接收器(或一组接收器)捕获。
此外,还可以包括控制偏置电压或电流的装置,或存储数据的控制器。
矢量网络分析仪可捕获RF网络中单个组件(或一组无源或有源组件)的频率响应。它可以测量给定信号的功率,捕获其相位和幅度。
工程师可以从这些幅度和相位测量中得出一系列器件特性,包括群延迟、阻抗、回波和插入损耗特性。
VNA是由多个端口组成的单路径或多路径仪器,其中可以在任意端口施加刺激,例如:
此外,执行校准的参考平面的位置也会影响VNA测量。
测量误差的来源包括:
可视化是分析S参数数据的重要第一步。相位和幅度数据可以用笛卡尔坐标或极坐标绘制。史密斯图是用于分析匹配网络的极坐标图。
要准确进行S参数计算,需要对RF电路理论有深入的了解,具备仿真软件的使用经验,并能够访问可靠的设备。
设计RF电路是一项复杂的任务,涉及多次迭代。精度、电路的复杂性和可用的工具决定了设计方法。
以下是在高频RF电路中设计S参数的典型方法步骤:
从并行数据传输到高速串行数据传输的转变,带来了一系列新的半导体设计挑战。随着数据速率接近千兆/秒(通过每个互连推送更多比特),将需要多个并行工作的串行链路,从而导致高频互连损耗和串扰增加。
因此,表征半导体芯片中的电磁耦合变得至关重要。
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