DATE: 6/24/2022
PRESS RELEASE
Ansys携手台积电推出面向无线芯片的多物理场设计方法
Ansys平台支持台积电的N6RFDesign Reference Flow，助力5G、WiFi与IoT应用领域利用台积电N6RF工艺技术打造速度更快、性能更强的射频芯片
主要亮点
- Ansys多物理场平台支持台积电N6RF Design Reference Flow，助力基于其N6工艺技术的射频（RF）芯片设计
- Ansys解决方案，包括Ansys® RaptorX™、Ansys® Exalto™、Ansys® VeloceRF™与Ansys® Totem™，均可支持台积电N6RF Design Reference Flow从实施到验证的整个过程
2022年6月24日，宾西法尼亚州匹兹堡讯 – Ansys （NASDAQ：ANSS）联合台积电共同开发针对N6工艺技术的台积电N6RF Design Reference Flow。Reference Flow采用Ansys多物理场仿真平台（包括：Ansys® RaptorX™、Ansys® Exalto™、Ansys® VeloceRF™与Ansys® Totem™）为射频芯片的设计提供低风险的可靠解决方案。
台积电的N6RF Design Reference Flow可为RF设计人员提供能加快设计周期的工作流程，减少因过度设计造成的资源浪费。该流程可提高5G无线通信、WiFi连接和IoT网络应用芯片的性能与可靠性。Ansys与台积电合作扩展对先进节点技术的支持，并强化RaptorX和Ansys® HFSS™，以接受台积电的加密技术文件。
台积电N6RF Design Reference Flow采用Ansys多物理场仿真平台，为射频芯片设计提供低风险且可靠的解决方案
台积公司设计基础设施管理事业部处长 Dan Kochpatcharin 表示：“无线通信已成为当今高科技系统的有机组成部分。我们与生态系统伙伴密切合作，凭借基于台积公司的N6RF工艺技术、经过验证的 RF Design Reference Flow，以及业界常用的设计工具，来满足这一日益增长的需求，从而助力双方客户有效利用我们先进技术所带来的功率与性能优势，以实现芯片创新。”
台积电的N6RF Design Reference Flow可在Ansys平台中实现高级设计功能，包括电磁耦合的快速设计内分析，以及线圈、传输线路及其它感应电路设备的综合布局。该流程还支持电感器下方电路技术，能够显著缩小器件占板面积，进而降低RF设计成本。
Ansys副总裁兼半导体、电子与光学事业部总经理John Lee表示：“现代系统设计正不断扩大多物理场效应的影响范围，这在优化各种关键设计项目的功耗、性能与面积时，都应被认真考虑。此次与台积电的合作，使双方客户能更容易地利用Ansys先进的解决方案平台，对台积电制造的集成电路进行电磁相互作用仿真和建模。”
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