La dimensione dell'induttore e la diafonia induttore-induttore possono influire sulla dimensione del die. Ansys VeloceRF consente di progettare dispositivi più piccoli utilizzando criteri di ottimizzazione e vincoli geometrici. Inoltre, calcola l'accoppiamento tra un numero qualsiasi di induttori per ottimizzare al meglio il silicio utilizzato e ottimizzare gli induttori nel contesto circuitale. Il supporto per la variazione parametrica di Ansys VeloceRF offre una soluzione dalle prestazioni ottimali nel contesto del circuito. L'accuratezza verificata dalle fonderie, riduce i rischi nel progetto con modelli collaudati in silicio che consentono di eliminare i guasti dovuti alla diafonia.
Ansys VeloceRF attualmente supporta oltre 200 processi tecnologici e funziona con qualsiasi processo fino a 3nm tra cui CMOS, BiCMOS, GaAs, SOS e SOI di tutte le fonderie di semiconduttori - TSMC, UMC, Global Foundries, TowerJazz e Samsung, tra gli altri. Lo strumento si integra con le principali piattaforme di progettazione EDA e con qualsiasi strumento LVS.