La proliferazione di circuiti RF e circuiti ad alta velocità nei moderni sistemi al silicio ha portato l'accoppiamento elettromagnetico a essere un effetto di primo ordine che deve essere modellato accuratamente per assicurare il successo del silicio in modo affidabile. Tuttavia, la generazione di modelli parassiti accurati adatti per l'analisi dell'accoppiamento elettromagnetico è molto più complessa rispetto all'estrazione RC tradizionale. E le dimensioni di questi modelli EM hanno rappresentato una sfida per i simulatori.
La capacità senza precedenti di Exalto consente di analizzare con facilità layout estremamente complessi. La sua esclusiva metodologia di riduzione delle netlist rende la netlist di uscita estremamente compatta, mitigando qualsiasi problema di simulazione. Ciò consente di analizzare a fondo interazioni EM complesse che in precedenza erano state evitate grazie a costose sovraprogettazioni e margini di sicurezza. Il risultato è un design più piccolo ed economico con caratteristiche di prestazioni più affidabili.
Exalto migliora i flussi di progettazione esistenti integrando i normali strumenti di estrazione e interfacciandosi perfettamente con tutti gli strumenti LVS.